[1] A. Laurain, M. Myara, J. .-P. Perez, L. Cerutti, I. Sagnes, G. Beaudoin, M. Triki, P. Cermak, D. Romanini, and A. Garnache, "Laser à semiconducteur compact de forte puissance, monofréquence et accordable pour l'analyse de gaz," in Proc. Horizons, 2009.

Abstract : Nous présentons le fonctionnement monofréquence d’un laser compact à émission par la surface en cavié externe, présentant une forte puissance avec un rendement élevé, un faible niveau de bruit, une accordabilité continue sur une large bande et une qualité de faisceau élevée. Les lasers présentés ici fonctionnent en continu et à température ambiante, à une longueur d’onde de 1 µm (technologie GaAs), et de 2.3 µm (technologie GaSb).

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